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5pcs IRF540N MOSFET 100V 33A 130W TO220 - Pack de 5 unidades

Marca: satkit

1,72

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O pack de 5pcs IRF540N MOSFET Transistor 100V 33A 130W TO220 é um conjunto de transistores MOSFET de canal N concebidos para aplicações eletrónicas que exigem elevada eficiência e capacidade de gestão de corrente e tensão.

Características principais:

  • Categoría: N-Canal MOSFET
  • Voltaje máximo: 100V
  • Corriente máxima: 33A
  • Resistencia interna (Rds(on)): 44mΩ
  • Voltaje de la puerta: 20V
  • Tiempo de conmutación: 35ns (ascenso y descenso)
  • Disipación de potencia: 130W
  • Encapsulado: TO-220
  • Rango de temperatura de funcionamiento: -55°C a 175°C

Usos típicos:

  • Controlo de motores elétricos em projetos DIY e profissionais.
  • Amplificadores de potência e fontes de alimentação comutadas.
  • Interruptores eletrónicos para cargas de alta corrente.
  • Aplicações em robótica e sistemas embebidos que exigem elevada eficiência.

Compatibilidade: Este transistor é compatível com circuitos que operam dentro das suas especificações elétricas, especialmente em projetos que requeiram um MOSFET de canal N com elevada capacidade de corrente e tensão.

Este pack de 5 unidades permite ter peças de substituição ou implementar vários circuitos em simultâneo, garantindo um desempenho fiável e duradouro graças ao seu encapsulado TO-220 que facilita a dissipação térmica.

  • Pack de 5 transistores IRF540N MOSFET N-Canal
  • Tensão máxima de 100V para aplicações exigentes
  • Corrente máxima de 33A para cargas elevadas
  • Baixa resistência interna de 44mΩ para maior eficiência
  • Dissipação de potência de 130W para utilização prolongada
  • Encapsulado TO-220 para melhor dissipação térmica
  • Tempo de comutação rápido de 35ns
  • Temperatura de funcionamento de -55°C a 175°C

Perguntas e Respostas de Clientes

Que precauções de instalação devem ser tomadas para evitar danos por sobreaquecimento ou sobrecorrente no IRF540N?

Para evitar danos, é fundamental assegurar uma dissipação de calor correta, utilizando um dissipador adequado se a dissipação ultrapassar 2 W, e respeitar os limites: máx. 100 V dreno-fonte, 33 A contínuos e 130 W de potência. Além disso, deve evitar-se picos que excedam a tensão de gate de 20 V e proteger contra descargas eletrostáticas antes da instalação.

Com que tipos de sinais de controlo e circuitos lógicos é compatível a gate do IRF540N?

O IRF540N necessita tipicamente de uma tensão de gate de pelo menos 10 V para uma condução eficiente, embora possa começar a ativar-se a partir de 2-4 V (Vgs(th)). Funciona bem com controladores MOSFET ou circuitos lógicos com etapa de adaptação; não é recomendável ligá-lo diretamente a microcontroladores de 3.3 V sem um driver intermédio.

Que tipo de proteção ou normas de segurança deve cumprir a instalação destes MOSFET em sistemas industriais?

Em sistemas industriais, a instalação deve contemplar proteção contra sobrecargas (fusíveis ou disjuntores), supressão de transientes (diodos flyback ou varistores) e cumprir normas como IEC 60950 (segurança elétrica) e ESD (proteção contra descargas eletrostáticas) para assegurar funcionamento seguro e durabilidade do componente.

Para que serve o transistor IRF540N MOSFET?

O IRF540N é um transistor MOSFET de canal N utilizado para controlar cargas elétricas de alta corrente e tensão em circuitos eletrónicos, como motores, amplificadores e fontes de alimentação.

Quantas unidades inclui este pack?

Este pack inclui 5 unidades do transistor IRF540N MOSFET.

Qual é o encapsulado do IRF540N?

O IRF540N vem em encapsulado TO-220, que facilita a dissipação térmica e a montagem em circuitos.

Qual é a tensão e corrente máxima que este transistor suporta?

O transistor suporta uma tensão máxima de 100V e uma corrente máxima de 33A.

É adequado para projetos que exigem elevada dissipação de potência?

Sim, este transistor tem uma dissipação de potência máxima de 130W, ideal para aplicações que exigem gestão de potência elevada.

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