5pcs IRF540N MOSFET 100V 33A 130W TO220 - Pack de 5 unidades
Marca: satkit
IVA incluído (S/ IVA: 1,40€)
O pack de 5pcs IRF540N MOSFET Transistor 100V 33A 130W TO220 é um conjunto de transistores MOSFET de canal N concebidos para aplicações eletrónicas que exigem elevada eficiência e capacidade de gestão de corrente e tensão.
Características principais:
- Categoría: N-Canal MOSFET
- Voltaje máximo: 100V
- Corriente máxima: 33A
- Resistencia interna (Rds(on)): 44mΩ
- Voltaje de la puerta: 20V
- Tiempo de conmutación: 35ns (ascenso y descenso)
- Disipación de potencia: 130W
- Encapsulado: TO-220
- Rango de temperatura de funcionamiento: -55°C a 175°C
Usos típicos:
- Controlo de motores elétricos em projetos DIY e profissionais.
- Amplificadores de potência e fontes de alimentação comutadas.
- Interruptores eletrónicos para cargas de alta corrente.
- Aplicações em robótica e sistemas embebidos que exigem elevada eficiência.
Compatibilidade: Este transistor é compatível com circuitos que operam dentro das suas especificações elétricas, especialmente em projetos que requeiram um MOSFET de canal N com elevada capacidade de corrente e tensão.
Este pack de 5 unidades permite ter peças de substituição ou implementar vários circuitos em simultâneo, garantindo um desempenho fiável e duradouro graças ao seu encapsulado TO-220 que facilita a dissipação térmica.
- Pack de 5 transistores IRF540N MOSFET N-Canal
- Tensão máxima de 100V para aplicações exigentes
- Corrente máxima de 33A para cargas elevadas
- Baixa resistência interna de 44mΩ para maior eficiência
- Dissipação de potência de 130W para utilização prolongada
- Encapsulado TO-220 para melhor dissipação térmica
- Tempo de comutação rápido de 35ns
- Temperatura de funcionamento de -55°C a 175°C
Perguntas e Respostas de Clientes
Que precauções de instalação devem ser tomadas para evitar danos por sobreaquecimento ou sobrecorrente no IRF540N?
Para evitar danos, é fundamental assegurar uma dissipação de calor correta, utilizando um dissipador adequado se a dissipação ultrapassar 2 W, e respeitar os limites: máx. 100 V dreno-fonte, 33 A contínuos e 130 W de potência. Além disso, deve evitar-se picos que excedam a tensão de gate de 20 V e proteger contra descargas eletrostáticas antes da instalação.
Com que tipos de sinais de controlo e circuitos lógicos é compatível a gate do IRF540N?
O IRF540N necessita tipicamente de uma tensão de gate de pelo menos 10 V para uma condução eficiente, embora possa começar a ativar-se a partir de 2-4 V (Vgs(th)). Funciona bem com controladores MOSFET ou circuitos lógicos com etapa de adaptação; não é recomendável ligá-lo diretamente a microcontroladores de 3.3 V sem um driver intermédio.
Que tipo de proteção ou normas de segurança deve cumprir a instalação destes MOSFET em sistemas industriais?
Em sistemas industriais, a instalação deve contemplar proteção contra sobrecargas (fusíveis ou disjuntores), supressão de transientes (diodos flyback ou varistores) e cumprir normas como IEC 60950 (segurança elétrica) e ESD (proteção contra descargas eletrostáticas) para assegurar funcionamento seguro e durabilidade do componente.
Para que serve o transistor IRF540N MOSFET?
O IRF540N é um transistor MOSFET de canal N utilizado para controlar cargas elétricas de alta corrente e tensão em circuitos eletrónicos, como motores, amplificadores e fontes de alimentação.
Quantas unidades inclui este pack?
Este pack inclui 5 unidades do transistor IRF540N MOSFET.
Qual é o encapsulado do IRF540N?
O IRF540N vem em encapsulado TO-220, que facilita a dissipação térmica e a montagem em circuitos.
Qual é a tensão e corrente máxima que este transistor suporta?
O transistor suporta uma tensão máxima de 100V e uma corrente máxima de 33A.
É adequado para projetos que exigem elevada dissipação de potência?
Sim, este transistor tem uma dissipação de potência máxima de 130W, ideal para aplicações que exigem gestão de potência elevada.